Bu ürünün üretimi sona ermiştir. Bilgilendirme amaçlı olarak yayınlanmaktadır.
Günlük bilgi işlem deneyiminizi en üst düzeye çıkarmak için Samsung TurboWrite teknolojisi ile üst seviye okuma / yazma performansı elde edin. 840 EVO* ile kıyaslandığında %10 daha iyi bir kullanıcı deneyiminin yanı sıra 120 / 250 GB modellerde 1,9 kata varan daha hızlı rastgele yazma hızları da elde edersiniz. 850 EVO, sıralı okuma (540 MB/sn.) ve yazma (520 MB/sn.) hızlarında kendi sınıfında en iyi performansı sunar. Ayrıca, istemci bilgisayar kullanımı durumunda tüm rastgele sorgulama veri işlemlerinde optimize edilmiş performans elde edilir. *PCmark7 (250 GB ): 6 700 (840 EVO) < 7 600 (850 EVO) **Rastgele Yazma (QD32,120 GB): 36 000 IOPS (840 EVO) < 88 000 IOPS (850 EVO)
Samsung SSD 850 EVO. Uzmanlar için en iyi SSD.
- Yenilikçi 3D V-NAND Teknolojisi
- İnanılmaz Okuma/Yazma Performansı
- Geliştirilmiş Dayanım ve Güvenilirlik
- Ultra ince Laptop ve PC sistemler için en gelişmiş SSD sürücü
3D V-NAND Teknolojisi
Samsung’un yenilikçi 3D V-NAND flash bellek mimarisi, yoğunluk, performans ve günümüz düzlemsel NAND mimarisinin dayanıklılık kısıtlamalarını ortadan kaldıran yeni bir buluştur. 3D V-NAND, hücre boyutlarını azaltıp, kendisini sabit bir yatay alana sığdırmak yerine 32 hücre katmanını birbiri üzerine dikey şekilde sıralar. Bunun sonucunda da, teknolojinin, daha az ayak izi ile daha yüksek yoğunluk ve daha iyi performans vermesi sağlanır.
TurboWrite Teknolojisi
Günlük bilişim deneyiminizi Samsung’un TurboWrite teknolojisi ile en üst düzeye çıkartarak okuma / yazma performansında son noktaya erişin. 850 EVO, ödüllü 840 EVO ile karşılaştırıldığında, 2 kat daha hızlı rastgele yazdırma hızı sunar. 850 EVO kendi sınıfında en üst düzeyde* performans sergileyerek ardışık okumada 540 MB / saniye ve yazmada 500 MB / saniye hıza erişmiştir. Sıra Derinliği (Queue Dephths – QD) en iyi seviyeye çıkartılmış rastgele performans standardının keyfini gerçek kullanım senaryolarında sürün.
* Performans 3-Bit MLC-sınıfı SSD sürücüler ile karşılaştırılmıştır.
Geliştirilmiş Dayanıklılık ve güvenirlik
850 EVO, bir önceki nesil 840 EVO* ile karşılaştırıldığında, dayanıklılık ve güvenilirlik garantisini, Toplam Yazılan Bayt (TBW) değerini ikiye katlayarak ve sektörde görülmemiş 5 yıllık garanti ile birlikte sunmaktadır. Performansı %30 değerinde arttıran 850 EVO sürdürülebilir performansa da olanak sağlayarak en güvenilir depolama çözümlerinden biri olma özelliğini de korumaktadır.
Geliştirilmiş Enerji Verimliliği
850 EVO, daha az güç tüketen 3D V-NAND yongalar ve bu yongaları destekleyen denetleyici sayesinde dizüstü sitemlerde* daha uzun pil ömrü sunar. Windows Device Sleep (Uyku Modu) durumunda 2mW güç harcar. 850 EVO yazdırma işlemlerinde %25 oranında daha fazla güç verimliliği sağlayan (düzlemsel 2D NAND’dan %50 oranında daha az güç tüketen) en son 3D V-NAND teknolojisine sahiptir.
* Standart HDD sürücüler ve önceki nesil SSD sürücüler ile karşılaştırılmıştır
Samsung Kaliteli Bileşenler
Sektörün SSD lideri olarak Samsung, benzersiz tasarım, geliştirme ve üretim işlemlerini tamamıyla kendi tesislerinde gerçekleştirmektedir. Bu sayede iyileştirilmiş performans ve bileşen uyum hataları riskini ortadan kaldırarak bütünleşik ve tamamen optimize edilmiş çözümlerin ortaya çıkmasına olanak sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
Ürün Kodu : MZ-N5E120BW, MZ-N5E250BW, MZ-N5E500BW
ÜRÜN TİPİ : M.2
ARAYÜZ : SATA 6Gb/s Arayüzü; SATA 3Gb/s ve SATA 1.5Gb/s arayüzleri ile uyumlu
KAPASİTE : 120GB, 250GB, 500GB *
*Kullanılabilir kapasite; biçimlendirme, bölümlendirme, işletim sistemi ve uygulamalara bağlı olarak farklılık gösterebilir.
ARDIŞIK OKUMA HIZI : 540 MB/saniyeye kadar Ardışık Okuma *
*Performans sistem donanımları ve yapılandırmasına göre farklılık gösterebilir
ARDIŞIK YAZMA HIZI : 500 MB/saniyeye kadar Ardışık Yazma *
*Performans sistem donanımları ve yapılandırmasına göre farklılık gösterebilir
BELLEK VE ÖN BELLEK BİLEŞENLERİ :
Samsung 32 katman 3D V-NAND
Samsung 512MB Low Power DDR2 SDRAM