FB-DIMM bellekler; sistemlerin artan ihtiyaçlarına yönelik olarak geliştirilmiş bellek ürünleridir. FB-DIMM bellekler verilerin daha güvenilir ve hızlı biçimde işlemesini sağlamaktadır. Özellikle sunucu ve iş istasyonlarında ihtiyaç duyulan hızlı tepki ve güvenilir veri talebine en iyi şekilde yanıt vermektedir. Ayrıca tek modülde 4GB’a ulaşan yüksek kapasite ve düşük ısı yayınımı gibi özellikleri ile kurumların sistemlerinde daha yüksek kapasitesine daha az modül kullanarak erişebilmesini sağlar.
FBDIMM; sunuculara yönelik olarak oluşturulmuş bir bellek teknolojisidir. Bu gelişmiş sunucu bellek mimarisi, kanaldan gelen DRAM verilerini uygun yerlere noktadan noktaya doğrudan iletmek üzere arabelleğe (buffer) alır. Böylece. Arabellek ve tekrarlayıcılar ana kart yönlendirme(routing) alanını azaltmaya yardımcı olmaktadır.
FBDIMM mimarisi, registered DIMM bellek modüllerinden 1/3 oranında daha az temas noktası (pin) gerektirmektedir ve yüksek çıktı ve düşük gecikme süreleri sunmaktadır. FBDIMM mimarisi, bellek kanallarının 21,2GB/saniye bellek bant genişliği değerine ulaşmasına imkan vermektedir.
FBDIMM kullanan sunucularda sistem bellek kanallarından her birine 16GB’ a kadar bellek takılabilmektedir. Başta Samsung olmak üzere önde gelen FBDIMM modül üreticilerinin ürünlerinin kullanıldığı Bigboy FBDIMM bellekler tüm FBDIMM destekli sunuculara Apple başta olmak üzere tüm sunucu ve iş istasyonlarına uygun bellek çözümleri sunmaktadır.
Ürün Kodları : BTS789M2/4G, BTS789M2/8G, BTA435M2/4G, BTS789M2/16G, BTA435M2/8G, BTA436M2/8G
| Tanım | DDR2-667 FB-DIMM Bellek Modülü | |
| Arayüz | 240 Pin DIMM | |
| Kapasiteler | 1GB, 2GB, 4GB | |
| Veri Aktarım Hızı | 5.3Gbps | |
| Güç Tüketimi | 1.5-1.8V | |
| Boyutlar | 30mm x133.35mm x6.6mm (soğutucusuz) / 8.2mm (soğutucu ile) | |
| Ek Bilgiler | • Kapasite sınırlamalarını ortadan kaldıran, geniş kapasite seçenekleri ile yüksek kapasite gerektiren uygulamara uygun. • FBDIMM protokolü ile desteklenen çeşitli ECC algoritmaları ile gelişmiş hata denetimi ve hata seviyesinde belirgin düşüş. • +1.5V güç tüketimi; AMB – yüksek hızlı seri kanal (high-speed serial channel); 1.8V tgüç tüketimi AMB -DRAM arayüzü için; 1.8V güç tüketimi DRAM için (DDR2 ile aynı). • Zorlu koşullarda çalışabilmesi sağlayan geliştirilmiş çalışma aralığı; 0°C , +95°C arası • Advanced memory buffer (AMB)- DRAM’ e iletilen tüm sinyalleri kendi tampon alanına alır ve bu sayede sistem kapasitesi artırmış olur. AMB ve bellek kontrolorü arasıdan yüksek hızlı seri arayüz bulunur. AMB ile DRAM arasında geleneksel DRAM arayüzü bulunur. Geliştirilmiş kanal özellikleri yüksek performans artışı sağlar. • Intel 5000X (Greencreek) ve 5000P/V (Blackford) yongaseti desteği. |